トッパンフォトマスクとIBM、2nm向けEUVフォトマスクを共同開発へ - EE Times Japan

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» 2024年02月08日 10時30分 公開

トッパンフォトマスクとIBMは、IBMの2nmロジック半導体プロセスノードに対応する「EUVフォトマスク」を共同開発する。契約期間は2024年2月より5年間。両社はアルバニー・ナノテク・コンプレックスの研究所（米国ニューヨーク州）と、トッパンフォトマスクの朝霞工場（埼玉県新座市）で研究開発を行う。

両社が持つ材料技術と製造プロセス制御技術を融合

　トッパンフォトマスクとIBMは2024年2月7日、IBMの2nmロジック半導体プロセスノードに対応する「EUV（極端紫外線）フォトマスク」を共同開発すると発表した。契約の期間は2024年2月から5年間。両社はアルバニー・ナノテク・コンプレックスの研究所（米国ニューヨーク州）と、トッパンフォトマスクの朝霞工場（埼玉県新座市）で研究開発を行う。

　先端半導体の量産には、「ArFエキシマレーザー」を光源とする露光技術が用いられている。2nmノード以細の次世代半導体量産には、高NA（開口数）EUVを含むEUV露光技術が必要となる。そして今回、両社が持つ材料技術と製造プロセス制御技術を融合し、次世代半導体の量産に向けたEUVフォトマスクを共同開発することにした。

EUVフォトマスクの外観［クリックで拡大］ 出所：トッパンフォトマスク

　トッパンフォトマスクとIBMはこれまで、45nmノードを皮切りに、32nmや22／20nm、14nmといった各世代における先端半導体用フォトマスクや、初期段階のEUVフォトマスクを共同で開発してきた。次世代の半導体向けEUVフォトマスクについても、両社で共同研究を行うことにした。

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